T_GDASE 0010—2020 石墨烯薄膜电子迁移率的测定.pdfVIP

ICS 19 A 21 团 体 标 准 T/GDASE 0010—2020 石墨烯薄膜电子迁移率的测定 Determination ofelectronicmobility ofgraphenefilm 2020-06-01发布 2020-06-01实施 广东省特种设备行业协会 发 布 T/GDASE 0010—2020 石墨烯薄膜电子迁移率的测定 1 范围 本标准规定了石墨烯薄膜霍尔系数、电子浓度、电子迁移率、电阻率的测定方法。 本标准适用于二维石墨烯薄膜样品，其它二维导电薄膜的霍尔系数、电子浓度、电子迁移率、电阻 率测定可参照执行。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。 凡是不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 30544.13-2018 纳米科技 术语 第13部分：石墨烯及相关二维材料 GB/T 8170-2008 数值修约规则与极限数值的表示和判定 3 术语和定义 GB/T 30544.13-2018 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 电阻率 resistivity 材料内平行于电流方向的电势梯度与电流密度之比，又称体电阻率，单位为(Ω·m)，常用单位为 (Ω·cm)。 3.2 霍尔电场 hallelectric field 在石墨烯薄膜上同时加上互相垂直的电场和磁场时，试样中的电子在与外加电场和磁场都垂直的方 向上偏转而建立的电场。 3.3 霍尔系数 hallcoefficient 3 霍尔电场对电流密度和磁通密度之积的比，单位为 （cm /C）。 3.4 电子浓度 electron concentration -3 单位体积电子的数量，单位为 （cm ）。 3.5 电子迁移率 electronmobility 1 T/GDASE 0010—2020 2 霍尔系数的绝对值与电阻率之比，单位为 （cm /V·s）。 3.6 欧姆接触 ohmic contact 金属与石墨烯薄膜形成欧姆接触是指在接触处是一个纯电阻，该电阻越小越好，使得组件操作时， 大部分的电压降在活动区而不在接触面。 4 原理 4.1 霍尔系数 当霍尔效应处于稳恒状态时，石墨烯薄膜中的电子在磁场作用下的洛伦兹力和在霍尔电场下的电场 力达到平衡，霍尔系数与霍尔电压、样品厚度、电流强度以及磁感应强度的关系如下。 V d 8 R H 10 (1) H I B S 式中： 3 R ——霍尔系数，cm /C； H V ——霍尔电压，V； H d——样品厚度，cm； I ——电流强度，A； s B——磁感应强度，T。 4