材料现代研究方法 扫描电镜.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 3．成分衬度 背散射电子产额与原子序数关系: 当Ep = 20keV以下，则 η= -0.0254 + 0.016Z -1.86×10－4Z2+8.3×10－7Z3 当Z1、Z2原子序数相邻，则衬度很低 当Z1、Z2原子序数相差远，则衬度很高 设有两平坦相邻区域，分别由Z1 和Z2 纯元素组成， 且 Z2 Z1 则衬度 S 为检测信号强度 C = = ? 为背散射电子强度 2 1 2 S S S - 2 1 2 h h h - (二)背散射电子像 本文档共44页；当前第24页；编辑于星期一\17点15分 NiAl-Cr(Mo)背散射电子像 本文档共44页；当前第25页；编辑于星期一\17点15分 TiAl样品的动态拉伸试验 本文档共44页；当前第26页；编辑于星期一\17点15分 扫描电镜/能谱分析(SEM/EDS） 本文档共44页；当前第27页；编辑于星期一\17点15分 液体氮 ＦＥＴ Ｓｉ（Ｌｉ）检测器 窗口 平行光管 电子束 样品 EDX原理图 Ｘ射线 锂漂移硅Si(Li)检测器 当X