氮化物半导体纳米薄膜结构增强场发射及其机理研究的中期报告.docx

氮化物半导体纳米薄膜结构增强场发射及其机理研究的中期报告 该中期报告主要介绍了氮化物半导体纳米薄膜结构增强场发射及其机理的研究进展。 首先，研究团队对氮化物半导体纳米薄膜样品进行了制备和表征。样品的结构为氮化铝薄膜/氮化镓量子点/氮化铝薄膜，通过扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察到了氮化镓量子点的存在和高质量的材料结构。 接着，使用紫外光谱和荧光光谱对样品进行了光学特性的研究。通过比较不同薄膜厚度下的谱线位置和强度，观察到了样品的量子限制效应和激子效应，证明了氮化铝薄膜/氮化镓量子点/氮化铝薄膜结构的增强荧光效应。 最后，研究团队对样品进行了场发射实验，观察到了样品在外加电场作用下的发射特性。通过比较不同电场下的发射强度，确认了样品的场发射增强效应。进一步分析发现，场发射增强效应的机理与氮化铝薄膜中的高电场诱导局域化效应和氮化镓量子点表面的氧化反应有关。 综合以上研究结果，研究团队初步确认了氮化物半导体纳米薄膜结构增强场发射及其机理，并将进一步深入研究该体系的发射性能及其应用。