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本发明提供一种光增感化学放大型抗蚀剂材料及使用了该光增感化学放大型抗蚀剂材料的图案形成方法、半导体器件、光刻用掩模、以及纳米压印用模板。本发明的光增感化学放大型抗蚀剂材料用于二段曝光光刻工艺，且包含：(1)能够显影的基础成分；及(2)通过曝光产生光增感剂和酸的成分。上述成分仅含有(a)酸‑光增感剂产生剂、(b)光增感剂前体及(c)光酸产生剂这3种成分中的(a)成分，或者含有其中的任意2种成分，或者含有(a)～(c)成分的全部。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111562720 A
(43)申请公布日
2020.08.21
(21)申请号 2
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