一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法.pdf

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本发明公开一种半导体衬底结构、异质集成封装结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，以解决异质晶圆和半导体衬底键合时容易产生缺陷、气泡和破裂的问题。所述导体衬底结构包括衬底，衬底的上表面设置有用于释放键合应力的上微流道结构，衬底的下表面设置有用于液冷的下微流道结构。所述异质集成封装结构包括上述方案所提的半导体衬底结构。所述异质集成封装结构的制造方法包括上述方案所提的异质集成封装结构。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825735 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310900074.X H01L 21/48 (2006.01)