一种使用MOSFET和电容器构成的无源忆阻器电路.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种使用MOSFET和电容器构成的无源忆阻器电路.pdf

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本发明公开了一种使用MOSFET和电容器构成的无源忆阻器电路。全电路仅由3个MOS管M1、M2、M3和1个电容器C构成，无需使用任何有源模块和其它种类的无源器件。其中，M1和M2控制电容器C的充电和放电，改变电容器C上的电压大小；M3上流过的电流受电容器C控制；电路的阻值等效为电路两端的电压和M3上流过的电流之间的比值。所设计的电路构成的忆阻器属于二端无源器件，结构简单，可应用在与非门、或非门等逻辑电路中。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116825164 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310900111.7 (22)申请日 2023.07.21 (71)申请人中国计量大学地址