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* * 第二节 半导体存储器 工艺 双极型 MOS型 TTL型 ECL型 速度很快、 功耗大、 容量小 电路结构 PMOS NMOS CMOS 功耗小、 容量大 工作方式 静态MOS 动态MOS 存储信息原理 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM （双极型、静态MOS型）： 依靠双稳态电路内部交叉反馈的机制存储信息。 （动态MOS型）： 依靠电容存储电荷的原理存储信息。 功耗较大,速度快,作Cache。 功耗较小,容量大,速度较快,作主存。 （静态MOS除外） 5.2.1 静态MOS存储单元与存储芯片 1.六管单元 （1）组成 T1、T3：MOS反相器 Vcc 触发器 T3 T1 T4 T2 T2、T4：MOS反相器 T5 T6 T5、T6：控制门管 Z Z：字线，选择存储单元 位线，完成读/写操作 W W W、 W： （2）定义 “0”：T1导通，T2截止； “1”：T1截止，T2导通。 （3）工作 T5、T6 Z：加高电平， 高、低电平，写1/0。 （4）保持 只要电源正常，保证向导通管提供电流，便能维持一管导通，另一管截止的状态不变，∴称静态。 Vcc T3 T1 T4 T2 T5 T6 Z W W 导通，选中该单元。 写入：在W、W上分别加 读出：根据W、W上有无 电流，读1/0。 Z：加低电平， T5、T6截止，该单元未选中，保持原状态。 2.存储