YJ扬杰PSBD芯片 PSB078M040SS-280A规格说明书.pdf

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YJ扬杰PSBD芯片PSB078M040SS-280A规格说明书用户手册产品说明书使用说明文档安装使用手册

YJ Planar Schottky Barrier Diode Die Specification Anode 40V 8A, 78mil, Schottky barrier diode die based on silicon planar process Part No.: PSB078M040SS-280A Main Products Characterstics • Average forward current: IF(AV) = 8 A • Maximum operating junction temperature: Tj = 150 °C • ESD rating: 8KV, per IEC61000-4-2 (Contact Discharge) • Top metal: Ag Cathode Maximum Ratings Static Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Value Parameter Symbol Rating Parameter Symbol Spec Typical Repetitive peak reverse voltage VRRM 40 V Reverse breakdown voltage VBR 45 V 52V I I = 1mA Average forward current F(AV) 8 A R Non−repetitive peak surge current IFSM 150 A Maximum forward voltage drop (tp = 8.3 ms, halfwave, 1 cycle) I = 8 A V 0.55V 0.52V F

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