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半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-10-01 发布于四川
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半导体结构.pdf

    本实用新型涉及一种半导体结构；基底，所述基底划分为若干个芯片区域；保护层，位于所述基底上，覆盖所述芯片区域；所述保护层覆盖所述芯片区域的区域内形成有若干个凹槽，所述凹槽的深度小于所述保护层的厚度。上述半导体结构通过在保护层覆盖芯片区域内形成若干个凹槽，可以增加保护层的表面粗糙程度及表面积，从而提高后段封装时保护层与塑封层的接着性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210575895 U (45)授权公告日 2020.05.19 (21)申请号 20192

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