氧化镓材料生长与阵列探测器研究.docVIP

氧化镓材料生长与阵列探测器研究 近日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。 期间，“平行论坛2：光电子器件及应用”上，南京邮电大学张茂林带来了“氧化镓材料生长与阵列探测器研究”的主题报告，其研究主要方向为重点开展宽禁带半导体氧化镓(Ga2O3)晶体的制备与器件物理方面的研究；优化晶体质量，赶超国际水平，发展相关器件的系统应用。 报告分享了薄膜CVD生长以及阵列探测器与应用的研究进展与成果。详细介绍了氧化镓晶体薄膜MOCVD生长/衬底制备，LSPR增强Pt/Ga2O3复合薄膜光响应，PECVD生长Ga2O3薄膜，Mist-CVD 生长α相Ga2O3薄膜，Ga2O3基日盲紫外探测阵列器件（4×4），16单元Ga2O3矩形阵列，晶圆Ga2O3阵列探测器的紫外成像，晶圆Ga2O3阵列探测器的紫外通讯，自供电Ga2O3基肖特基光电二极管阵列等研究内容。 研究基于现有设备技术改进PECVD、Mist-CVD生长Ga2O3薄膜；利用LSPR增强Pt/Ga2O3复合薄膜光响应，提高了