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二、基极驱动电路基本形式 （一）恒流驱动电路： 基极电流恒定，不随IC电流变化而变化。 IB ICmax / β 问题:空载、轻载时，饱和深度加剧，存储时间大，关断时间长。 改进：1．抗饱和电路（贝克嵌位电路） VD2存在，使GTR导通时b-c结处于零偏或轻微正偏，基极多余电流由VD2从集电极流出，管子处于准饱和状态。VCES=VBE+VD1－VD2=VBE VD1、VD2抗饱和二极管；根据不同情况调整VD1数量，控制VCES大小。 VD2应选快速二极管，耐压与GTR一致，电流 IB′ VD1、VD3为普通二极管，VD1反向恢复有助于GTR关断。 缺点：导通损耗增大。 本文档共50页；当前第30页；编辑于星期一\17点34分 ２．截止反偏驱动电路 目的：关断时加反偏驱动，迅速抽出基区过剩载流子，减 小存储时间，加速GTR关断。 ①单极性脉冲变压器驱动电路 VA VB 缺点：变压器单边工作，有直流磁化现象，铁心体积大。 反偏电压大小随导通时间变化。 t t VA 0 0 VB W3回馈能量 本文档共50页；当前第31页；编辑于星期一\17点34分 ②电容储能式驱动电路 工作原理： Vi高电平，*端为正，W2经GTR的B-E结