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- 约 7页
- 2023-10-01 发布于四川
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本实用新型涉及一种半导体结构,包括:衬底、焊盘、第一保护层、连接插塞、重布线层、凸块、第二保护层;重布线层包括第一金属线、第二金属线;第二金属线不进行任何电连接。由于第二金属线和第一金属线等高,因此第一金属线上的凸块和第二金属线上的凸块相当于形成于同一层,因此第一金属线上的凸块与第二金属线上凸块的共面性较高,第二金属线与焊盘绝缘,因此形成于第二金属线上的凸块并不起导电作用,在衬底翘曲产生应力时将应力转移到第一保护层,本申请的衬底中凸块共面性较好,减小倒装到基板上时出现浸润不良的概率,提高整个封装
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575840 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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