磁控溅射镀膜工艺介绍.pptVIP

现在你正浏览到当前第一页，共二十二页。 使chamber达到真空条件，一般控制在(2~5)E-5torr chamber内通入Ar（氩气），并启动DC power Ar发生电离 Ar ? Ar+ ＋ e- 在电场作用下，electrons（电子）会加速飞向anode（阳极） 在电场作用下，Ar+会加速飞向阴极的target（靶材），target粒子及二次电子被击出，前者到达substrate（基片）表面进行薄膜成长，后者被加速至阴极途中促成更多的电离。 垂直方向分布的磁力线将电子约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率的作用。 接地 -V(DC) 至真空泵 Ar 磁控溅射镀膜－溅射原理 现在你正浏览到当前第二页，共二十二页。 磁控溅射镀膜－磁控阴极 现在你正浏览到当前第三页，共二十二页。 相对蒸发镀，磁控溅射有如下的特点： 膜厚可控性和重复性好 薄膜与基片的附着力强 可以制备绝大多数材料的薄膜，包括合金，化合物等 膜层纯度高，致密 沉积速率低，设备也更复杂 现在你正浏览到当前第四页，共二十二页。 按照电源类型可分为： 直流溅射： 中频溅射： 射频溅射： 现在你正浏览到当前第五页，共二十二页。 不同溅射方式的比较 DC电源 RF电源 MF电源 可镀膜材料 导电材料 非导电材料 非导电材料 靶材形状 平面单靶 平