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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-10-04 发布于四川
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半导体装置.pdf

    半导体装置具备：在碳化硅层的第1面侧沿第1方向延伸的沟槽；沟槽内的栅极电极；在碳化硅层中沿第1方向依次配置的第1导电型第1碳化硅区域、第2导电型第2碳化硅区域、第1导电型第3碳化硅区域、第4碳化硅区域；在第1至第4碳化硅区域与第1面之间设置且在第一方向上依次配置且杂质浓度比第1至第4碳化硅区域高的第1导电型第5碳化硅区域、第2导电型第6碳化硅区域、第1导电型第7碳化硅区域、第2导电型第8碳化硅区域；设在第5至第8碳化硅区域与第1面之间的第1导电型第9碳化硅区域；第9碳化硅区域与第1面之间的第2导

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845105 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210804976.9 H01L 21/336 (2006.01) (22)申请日 2022.07

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