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- 2023-10-04 发布于四川
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实施方式提供提高了安全性的半导体装置。实施方式的半导体装置具备基板、耗尽型的第1晶体管、增强型的第2晶体管、栅极控制电路、栅极端子以及电源端子。所述第1晶体管设置在所述基板上,具有包含第1导电型的氮化物半导体的沟道区域。所述第2晶体管在所述基板上与所述第1晶体管串联连接,经由第2导电型的反型层进行工作,该第2导电型是与所述第1导电型相反的极性。所述栅极控制电路在所述基板上与所述第2晶体管的栅电极连接。所述栅极端子与所述第1晶体管的栅电极电连接。所述电源端子电连接在所述第1晶体管与所述第2晶体管之
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116845062 A
(43)申请公布日 2023.10.03
(21)申请号 202210847091.7
(22)申请日 2022.07.07
(30)优先权数据
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