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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-10-04 发布于四川
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半导体装置.pdf

    实施方式的半导体装置具备：第1电极；第1导电型的第1半导体层，与所述第1电极连接，含有碳化硅；第2导电型的第2半导体层，设置在所述第1半导体层上；第1导电型的第3半导体层，设置在所述第2半导体层上的一部分；第2电极，与所述第2半导体层及所述第3半导体层连接；第3电极，设置在所述第1半导体层的上部内、所述第2半导体层的内部及所述第3半导体层的内部；绝缘膜，设置在所述第1半导体层、所述第2半导体层以及所述第3半导体层与所述第3电极之间；及第4半导体层，设置在所述绝缘膜与所述第1半导体层以及所述第2半

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845106 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202210817553.0 (22)申请日 2022.07.12 (30)优先权数据 2022-047267 202

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