同步整流电路分析.docxVIP

一、传统二极管整流电路面临的问题 近年来，电子技术的发展，使得电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，但也给电源设计提出了新的难题。 开关电源的损耗主要由 3 部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流 管的损耗尤为突出。快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达～，即使采用低压 降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约的压降，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。 举例说明，目前笔记本电脑普遍采用甚至或的供电电压，所消耗的电流可达 20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50％。即使采用肖特基二极管， 整流管上的损耗也会达到（18％～40％）P ，占电源总损耗的60％以上。因此，传统的二极 O 管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC ／DC 变换器提高效率的瓶颈。 二、同步整流的基本电路结构 同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DC／DC 变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET 属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET 做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能， 故称之为同步整流。 1、基本的变压器抽头方式双端自激、隔离式降压同步整流电路 2、单端自激、隔离式降压同步整流电路 图 1 单端降压式同步整流器的基本原理图 基本原理如图 1 所示，V1 及 V2 为功率MOSFET，在次级电压的正半周，V1 导通，V2 关断， V1 起整流作用；在次级电压的负半周，V1 关断，V2 导通，V2 起到续流作用。同步整流电路的 功率损耗主要包括V 及 V 的导通损耗及栅极驱动损耗。当开关频率低于 1MHz 时，导通损耗 1 2 占主导地位；开关频率高于 1MHz 时，以栅极驱动损耗为主。3、半桥他激、倍流式同步整流电路 图 2 单端降压式同步整流器的基本原理图该电路的基本特点是： 变压器副边只需一个绕组，与中间抽头结构相比较，它的副边绕组数只有中间抽头结构的一半，所以损耗在副边的功率相对较小； 输出有两个滤波电感，两个滤波电感上的电流相加后得到输出负载电流，而这两个电感上的电流纹波有相互抵消的作用，所以，最终得到了很小的输出电流纹波； 流过每个滤波电感的平均电流只有输出电流的一半，与中间抽头结构相比较，在输出滤波电感上的损耗明显减小了； 较少的大电流连接线（high current inter-connection），在倍流整流拓扑中， 它的副边大电流连接线只有 2 路，而在中间抽头的拓扑中有 3 路； 动态响应很好。 它唯一的缺点就是需要两个输出滤波电感，在体积上相对要大些。但是，有一种叫集 成磁（integrated magnetic）的方法，可以将它的两个输出滤波电感和变压器都集成到同一个磁芯内，这样可以大大地减小变换器的体积。 三、电路实例分析 同步整流式DC／DC 电源变换器的设计 下面介绍一种正激、隔离式／DC 电源变换器，它采用DPA－Switch 系列单片开关式稳压器 DPA424R，直流输入电压范围是 36～75V，输出电压为，输出电流为 5A，输出功率为。采用 400kHz 同步整流技术，大大降低了整流器的损耗。当直流输入电压为48V 时，电源效率 η=87％。变换器具有完善的保护功能，包括过电压／欠电压保护，输出过载保护，开环故障检测，过热保护，自动重启动功能、能限制峰值电流和峰值电压以避免输出过冲。 由 DPA424R 构成的同步整流式DC／DC 电源变换器的电路如图 6 所示。与分立元器件构 成的电源变换器相比，可大大简化电路设计。由C 、L 和 C 构成输入端的电磁干扰（EMI） 1 1 2 滤波器，可滤除由电网引入的电磁干扰。R 用来设定欠电压值（U ）及过电压值（U ），取 1 UV OV R =619kΩ 时，U =619kΩ×50μA＋=，U =619kΩ×135μA＋=。当输入电压过高时R 还能 1 UV OV 1 线性地减小最大占空比，防止磁饱和。R 3 为极限电流设定电阻，取R =Ω 时，所设定的漏极 3 极限电流I′ ==×2.50A=1.5A。电路中的稳压管VD （SMBJ150）对漏极电压起箝位作用， LIMIT Z1 能确保高频变压器磁复位。 图 6 同步整流式DC／DC 电源变换器的电路 该电源采用漏－源通态电阻极低的SI4800 型功率MOSFET 做整流管，其最大漏－源电 压 U =30V，最大栅－源电压U =±