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磁性半导体的第一性原理研究的中期报告 磁性半导体是近年来受到广泛关注的新型材料，在信息存储、控制和传输等方面具有广阔的应用前景。此类材料的本质是半导体中携带磁矩的杂质原子或点阵缺陷，其磁性和半导体性质的协同作用使得其具有特殊的物理性质。 本次研究的目标是通过第一性原理计算方法探究ZnO和GaAs基磁性半导体的电子结构、磁性机制及其与杂质原子的相互作用规律。在研究中，我们采用了基于密度泛函理论的VASP软件包来计算系统的电子结构和磁性特征，同时利用投影区域方法分析了电子来源的贡献。 研究结果表明，ZnO材料中掺入Mn等过渡金属原子可以引入磁性，且在掺杂比例较低的情况下仍能保持半导体性质。磁性来自于Mn离子的5d轨道的电子自旋极化，其补偿效应使得系统能够在较高温度下呈现磁性。而在GaAs材料中，由于其本身已经存在轨道自旋耦合效应，因此在掺杂Fe等过渡金属原子后，系统可以呈现天然的超顺磁性。在掺杂量较小的情况下，掺杂原子状态的轨道自旋极化起主要作用，而在掺杂量增加后，掺杂原子之间的相互作用成为磁性的主要来源。 总体而言，本研究对磁性半导体的理解提供了新的视角和理论基础，有助于指导其在新型电子器件及信息技术中的应用。