基于Bi2O3薄膜的ReRAM及其电阻开关特性研究的中期报告.docxVIP

基于Bi2O3薄膜的ReRAM及其电阻开关特性研究的中期报告 摘要： 本中期报告基于Bi2O3薄膜，研究了其作为ReRAM存储器的电阻开关特性。本研究首先使用射频磁控溅射技术制备了Bi2O3薄膜，之后使用铝电极和具有微米级尺寸的针对性电极对其进行了电学测试。结果表明，制备的薄膜具有很好的电阻开关特性，在SET（写入）过程中电阻下降，RESET（擦除）过程中电阻上升。此外，研究还发现，薄膜的电阻开关特性与其制备条件以及电极尺寸和间距等参数有关。 关键词：ReRAM，Bi2O3薄膜，电阻开关特性，射频磁控溅射技术 1. 引言 随着集成电路技术的不断发展，传统的存储器技术已经不能满足人们对于高密度、低能耗、高速度等多种要求。作为一种新型的非挥发性存储器，ReRAM由于其具有体积小、功耗低、速度快等特点而备受关注。Bi2O3作为一种半导体氧化物，具有电阻开关效应，因此可以作为ReRAM存储器的材料之一。 2. 实验方法 本研究使用射频磁控溅射技术（RF magnetron sputtering）制备Bi2O3薄膜，采用铝电极和微米级尺寸的针对性电极对其进行电学测试。测试时采用如下电路图： ......（略） 3. 实验结果 通过电学测试，本研究获得了Bi2O3薄膜的I-V曲线，如图1所示。从图中可以看出，在正向偏压下，薄膜的电阻呈现出线性关系；而在负向偏压下，薄膜的电阻明显增加，呈现出非线性的开关效应。同时，我们还测试了薄膜在不同偏压下的电阻变化情况，结果如图2所示。从图中可以看出，在SET（写入）过程中电阻下降，RESET（擦除）过程中电阻上升，表明该薄膜具有很好的电阻开关特性。 ......（略） 4. 结论与展望 本研究基于Bi2O3薄膜，通过电学测试研究了其作为ReRAM存储器的电阻开关特性。结果表明，该薄膜制备的良好，具有很好的ReRAM存储器的应用前景。在实验中还发现，薄膜的电阻开关特性与其制备条件以及电极尺寸和间距等参数有关，未来可以进一步探究这些因素对薄膜性能的影响。