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电子技术基础(模拟篇) 第一章 半导体二极管 一、单选题 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 在 PN 结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（ ） I eU B. I eU UT C. I (eU UT－1) D. I eU UT－1 S S S S 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 A B C D 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 I D = 0 B. I D  I 且 I I Z D ZM C. I Z  I I D ZM D. I I I Z D ZM 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 PN 结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。A B C D 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻，所测电阻是二极管的 电阻，由于不同量程时通过二极管的电流 ，所测得正向电阻阻值 。 A. 直流，相同，相同 B. 交流，相同，相同 C. 直流，不同，不同 D. 交流，不同，不同 在 25oC 时，某二极管的死区电压 U ≈，反向饱和电流I ≈，则在35oC 时，下列哪组数据可能正 th S 确：（ ）。 A U ≈，I ≈ B U ≈，I ≈ th S th S C U ≈，I ≈ D U ≈，I ≈ th S th S 二、判断题 PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。 （ ） 二极管在工作电流大于最大整流电流I 时会损坏。 （ ） F 二极管在工作频率大于最高工作频率f 时会损坏。 （ ） M 二极管在反向电压超过最高反向工作电压U 时会损坏。 （ ） RM 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 （ ） 因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 （ ） 稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ） 三、填空题 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ， 二极管反向伏安特性曲线 移。 半导体稳压管的稳压功能是利用PN 结的 特性来实现的。 二极管 P 区接电位 端，N 区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 在本征半导体中掺入 价元素得N 型半导体，掺入 价元素则得P 型半导体。 PN 结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。 光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 二极管按 PN 结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 PN 结正偏是指P 区电位 N 区电位。 温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。 在PN 结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。 PN 结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。 发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。 硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。 四、计算分析题 电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压 U ＝4V，R 的取值合适，u 的波形如图（c）所示。 试分别画出u O1 Z I 和 u 的波形。 O2 已知稳压管的稳压值U ＝6V，稳定电流的最小值I ＝3mA，最大值I