电子技术课后习题集详解.docx

,. ,. 习题解答 【1-1】 填空： 本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 漂移电流是 在 作用下形成的。 二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是和 。 稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作 在 。 描 述 稳 压 管 的 主 要 参 数 有 四 种 ， 它 们 分 别是 、 、 、和 。 某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。 双极型晶体管可以分成 和 两种类型，它们工作时有和 两种载流子参与导电。 场效应管从结构上分成 和 两种类型，它的导电过程仅仅取决于 载流子的流动；因而它又称做 器件。 场效应管属于 控制型器件，而双极型晶体管是 控制型器件。 当温度升高时，双极性晶体管的β将 ，反向饱和电流ICEO 将 ，正向结压降UBE 将 。 用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时，测出 最为方便。 晶体管工作有三个区域，在放大区时，应保证 和 ； 在饱和区， 应保证 和 ； 在截止区 ，， 应保证和 。 ．当温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将 ，输出特性曲线将 ，而且输出特性曲线之间的间隔将 。 解： 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 杂质浓度，温度。 少数载流子，(内)电场力。 单向导电性，正向导通压降UF 和反向饱和电流IS。 反向击穿特性曲线陡直，反向击穿区，稳定电压（UZ），工作电流（IEmin），最大管耗 （P ）和动态电阻（r ） Zmax Z 增大; NPN，PNP，自由电子，空穴(多子，少子)。 结型，绝缘栅型，多数，单极型。 电压，电流。 变大，变大，变小。 各管脚对地电压; 发射结正偏，集电结反偏；发射结正偏，集电结正偏；发射结反偏，集电结反偏。 左移，上移，增大.。 i【1-2】在图1-2 的各电路图中，E=5V，u =10 sin t V，二极管D 视为理想二极管，试 i 分别画出输出电压uo 的波形。 u iD u i D uo E uR u i uo E (a) (b) 图 1-2 题 1-2 电路图 解： 波形如图 1-2（a）（b） u /V i 10 u /V i 10 ?t ?t u /V u /V o o 5 5 ?t ?t 图 1-2 (a) (b) 【1-3】在图 1-3 中，试求下列几种情况下输出端对地的电压UY 及各元件中通过的电流。 （1）UA=10V，UB=0V；（2）UA=6V，UB=5V；（3）UA=UB=5V。设二极管为理想二极 管。 DA1k? DA 1k? A 1k? I DB D B R I 9k? R U A U U B Y 解： VD 导通， VD 截止 A B 图 1-3 题 1-3 电路图 I ? 0, I ? I DB DA R ? 10V ? 1mA (1? 9)(k?) U ? I Y R R ? 9V VD 导通， VD 截止 A B I ? 0, I ? I DB DA R ? 6V ? 0.6mA 10k? U ? I Y R R ? 5.4V VDA VDB 均导通 I ? 5V R 9.5k? ? 0.53mA I DA I ? I ? R ? 0.26mA DB 2 U ? I Y R R ? 4.74V 【1-4】设硅稳压管 Dz1 和 Dz2 的稳定电压分别为 5V 和 10V，正向压降均为 0.7V。求图1-4 中各电路的输出电压UO。 DZ1UDOZ2D D Z1 U D O Z2 D Z1 U D O Z2 25V 25V 1k?  (a)  1k?  (b) 25V U 25V U D D O Z1 Z2 D D O Z1 Z2 (c) 图 1-4 题 1-4 电路图 (d) 解： 图(a)15V; 图(b)1.4V; 图(c)5V; 图(d)0.7V. 【1-5】有两个稳压管 DZ1 和DZ2，其稳定电压值分别为5.5V 和 8.5V，正向压降都是 0.5V。如果要得到 3V 的稳定电压，应如何连接？ 解： 连接方法如图 1-5。 DZ1U DZ1 U I D Z2 U O 图 1-5 【1-6】 有两个晶体管分别接在电路中，已知它们均工作在放大区，测得各管脚的对地电压分别如下表所列。试判别管子的三个电极，并说明是硅管还是锗管?是 NPN 型还是 PNP 型? 管脚号电压(V)1 管脚号 电压(V) 1 4 2 3.4 3 9 管脚 电压(V) 1 -6 2 -2.3 3 1-2 解： 晶体管Ⅰ为 NPN 型硅管，1、2、3 管脚依次是B、E、C； 晶体管Ⅱ为 PNP 型锗管