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双波长发射发光二极管的光致发光和电致发光性能 0 氮化物紫外光led系统 近年来，由于能源光谱光谱灯的高性能、高性能、绿色环保等优点，已被称为继路灯、红光和气体发射后的第四代照明光源。它被广泛应用于遮蔽、手机、相机等领域。随着以光为光的行业照明行业的快速发展，光光灯代表了巨大的市场潜力和应用前景，引起了各国政府、研究机构和公司的高度关注。在美国、日本和欧洲，向美国、日本和欧洲注入了大量资金，并设立了促进小组和发展的特别机构。 目前实现氮化物白光LED广泛采用的方案有两种:1) 以InGaN基蓝光或紫光LED为基础光源, 通过荧光粉实现荧光下转换;2) 多芯片混色的白光LED.由于后者发光全部来自发光二极管, 因此, 制作成本较高, 另外由于三种颜色发光二极管之间老化特性的差异, 常导致发光过程中变色.目前广泛采用InGaN基蓝光或紫光LED加荧光粉的方法, 但是无机荧光粉面临着光致转换效率低及色散指数 (CRI) 低等缺点.此外, 无荧光粉的单芯片白光LED也已有报道.主要是在同一个蓝宝石衬底上依次生长两种或三种InGaN/GaN多量子阱结构的调节组分来实现从蓝光到红光的发射从而合成白光, 然而, InGaN/GaN基LED的红光部分发光效率较低, 导致相关白光LED发光效率远低于蓝光加荧光粉的白光LED的效率.最近, Mirhosseini等人通过模拟结果证实了利用双蓝光波长LED涂覆YAG:Ce荧光粉能够在保持流明效率的同时得到高显色指数的白光LED.本文采用金属有机化学气相沉积 (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 系统在 (0001) 蓝宝石衬底上生长了双波长的InGaN/GaN多量子阱LED结构, 通过在有源区量子阱中掺入不同组分的In获得双波长发射, 研究了双波长LED结构的光电特性, 并用双蓝光发射的芯片来激发YAG:Ce荧光粉实现了高显色指数白光发射. 1 电子阻挡层和n-gan层 利用Thomas Swan公司生产的MOCVD系统在 (0001) 蓝宝石衬底上外延生长了两种不同的InGaN/GaN MQW双波长LED结构, 样品结构如图1.三甲基镓 (TMGa) 、三甲基铟 (TMIn) 、三甲基铝 (TMAl) 和氨气 (NH3) 分别作Ga、In、Al和N源并由氢气 (H2) 作载气.样品A和样品B都是采用常规的两步法生长, 在蓝宝石衬底上依次生长GaN缓冲层、GaN未掺杂层和n-GaN层 (掺杂浓度4×1018cm-3) , 然后生长InGaN/GaN多量子阱有源层, 最后生长一层厚的作为电子阻挡层及200 nm厚的p-GaN层.样品A有源层依次由5个周期的In0.08Ga0.92N (3 nm) /GaN (10 nm) 多量子阱和1个周期的In0.18Ga0.82N (3 nm) /GaN (10 nm) 量子阱组成;样品B有源层依次为3个周期的In0.08Ga0.92N (3 nm) /GaN (10 nm) 多量子阱和In0.21Ga0.79N (3 nm) /GaN (10 nm) /In0.08Ga0.92N (3 nm) /GaN (10 nm) /In0.21Ga0.79N (3 nm) /GaN (10 nm) 多量子阱.样品A和B有源层中量子阱的个数都是6.SiH4和Cp2Mg分别作为n和p型掺杂剂.生长过程结束后, 采用掩膜、光刻、腐蚀、电子束蒸发和ICP干法刻蚀技术等标准芯片制作工艺将两个样品制成350×350μm2的LED芯片.光致发光 (Photo Luminescence, PL) 光谱测量是在iHR 550 (Horiba Jobin Yvon Inc.) 光谱仪上进行, 激发光源为325 nm He-Cd激光器.LED器件的光电特性是在PMS-50 (Everfine Co.) LED综合测试仪上测量.所有测量均在室温下进行. 2 不同电流下led光特性 图2是测量两个样品的PL谱归一化后得到的结果.样品A和样品B都有两个相同的光致发光峰, 其中365 nm是GaN材料的本征发射峰, 430 nm峰对应In0.08Ga0.92N (3.0 nm) /GaN (10 nm) 多量子阱的发射峰.样品A中470 nm峰对应In0.18Ga0.82N (3.0 nm) /GaN (10 nm) 量子阱的发射, 而样品B中512 nm峰则对应In0.21Ga0.79N (3.0 nm) /GaN (10 nm) 量子阱的发射.总体看来, 两个样品的430 nm发射峰相对强度较大, 这主要是因为这组量子阱的数量较多.样品B中512 nm的发射强度与样品A中470 nm的发射强度相当, 这可能是由于生长高In组分量子阱需要