全球氧化镓产业发展概况及对我国的启示.pdfVIP

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中国集成电路 产业发展 CIC China lntegrated Circuit 全球氧化镓产业发展概况及对我国的启示 麻尧斌,石健,赵聪鹏,葛婕 中国电子信息产业发展研究院 摘要: 5G 受新能源汽车、 通信、光伏和储能等应用需求带动,以及在全球科技博弈加剧的背景下,近年来 宽禁带半导体受到全球各国政府与产业界的高度重视和广泛关注,已成为全球经济增长潜力巨大的战 略性产业。应该看到,氧化镓相比碳化硅、氮化镓具有更宽的禁带宽度(约4.9eV 禁带宽度),以及具有8 MV/cm 的理论临界击穿场强,是一种新兴的超宽禁带半导体材料,可用于制备功率器件、微波射频器 件以及日盲紫外探测器等半导体器件,在高压电力控制、射频通信和火焰探测等领域具有重大应用价 已 ,剖析了 值, 成为国际科技战略必争高地。本文研究了全球氧化镓产业发展现状 产业发展面临的机遇 和挑战,并提出了对 国发展氧化镓产业的几点启示。 关键词: ;功率器件;晶体管 氧化镓;宽禁带半导体 Overview of Global Gallium Oxide Industry Development and Its Enlightenment for China MA Yao-bin, SHI Jian, ZHAO Cong-peng, GE Jie China Center for Information Industry Development Abstract: Driven by the demand for new energy vehicles, 5G communications, photovoltaics, energy storage and other applications, and against the background of the intensification of the global science and technology game, wide band gap semiconductors have been highly valued and widely concerned by governments and industry around the world in recent years, and have become a strategic industry with great potential for global economic growth. It should be noted that compared with silicon carbide and gallium nitride, Gallium III oxide has a wider band gap about 4.9eV band ( ) ( gap , and a theoretical critical breakdown field strength of 8 MV/cm. It is a new ultra wide band gap semiconductor ) material, which can be used to prepare power devices, microwave RF

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