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第一章 1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度N D = 2 ? 1014 cm ?3 。 （1）求室温 300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度N A = 3? 1014 cm ?3 ，重复（1）。 若 N D = N =1015 cm ?3 ,，重复（1）。 A 若 N D =1016 cm ?3 ， N A =1014 cm ?3 ，重复（1）。 解：（ 1 ） 已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值 n i = 1.5 ? 1010 cm ?3 ， 施主杂质 N = 2 ? 1014 cm ?3 n D i =1.5 ? 1010 cm ?3 ，所以可得多子自由浓度为 n ? N = 2 ? 1014 cm ?3 0 D 少子空穴浓度 n 2 p = i =1.125 ? 106 cm ?3 0 n 0 该半导体为N 型。 因为 N A ? N =1?1014 cm ?3 n D i ，所以多子空穴浓度 p ? 1?1014 cm ?3 0 少子电子浓度 n 2 n = i = 2.25 ? 106 cm ?3 0 p 0 该半导体为P 型。 因为 N = N A D ,所以 p = n = n =1.5 ? 1010 cm ?3 0 0 i 该半导体为本征半导体。 因为 N D ? N =1016 ? 1014 =99 ? 1014 （cm ?3 ） n A i ，所以，多子自由电子浓度 空穴浓度 n = 99 ? 1014 0 cm ?3 n 2 p = i (1.5 ?1010 )2 = =2.27 ? 10 4 （cm ?3 ） 0 n 99 ?1014 0 该导体为N 型。 二极管电路如图 1.3 所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为 0.7V。 试求流过二极管的直流电流。 二极管的直流电阻R 和交流电阻r 各为多少？ D D +6V + 6V 100 ? D 图 1.3 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3 的回路电流，即 I = 6 ? 0.7 A =53mA D 100 (2) R = D 0.7V 53 ?10?3 A =13.2 ? U r D= I T D = 26 ?10?3V =0.49 ? 53 ?10?3 A 二极管电路如题图 1.4 所示。 设二极管为理想二极管，试问流过负载R 的电流为多少？ L 设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压U ? 0.7 V，试问流过负 D (on ) 载 R 的电流是多少？ L 设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压U ? 0.7 V，r ? ? ? 20? ， D (on ) D on 试问流过负载的电流是多少？ 将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ 增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ +10V + 10V D L E 100 ? 题图 1.4 解：（1） I ? E ? 100 mA R L I ? E ? U R  D( on ) ? 94 mA I ? L E ? U D( on )  ? 78.3 mA R ? R L D I ? ?I 或I ? 0 S U （5）E 增加，直流电流I D增加，交流电阻 I T 下降。 D 在图 1.6 所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求U o 的值。 题图 1.6 解：(1)在图(a)中，V 导通，V 截止，U ＝5V。 2 1 0 在图(b)中，V 导通，V 截止，U ＝0V。 1 2 0 在图(c)中，V 、V 均导通，此时有 1 2 E ? R U ??4 ? 6 ? 2 ? 1.984V 0 R ? (R 1 2 // R 3 ) ? R 4 4 ? (1// 0.051) ? 2 二极管限幅电路如图 1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且 U =0.7V。 D(on) 若 u ＝5sinω t(V)，试画出 u i 0 的波形。 题图 1.7 解：(1)在图(a)中：当 u ＞一2.7V 时，V 管截止，u ＝一2V；当 u ≤一2.7V 时，V 管导 i 0 i 通，u ＝u 。当 u ＝5sinω t(V)时，对应的 u 波形如图答图 1.7(a)所示。 0 i i 0 (2)在图(b)中：当 u ＞1.3V 时，V 管截止，u ＝u ；当 u ≤1.3V 时，V 管导通，u ＝2V。 i 0 i i 0 其相应波形如答图 1.7 (b)所示。 答图 1.7 在题图 1.9 (a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压 u 、