p型ZnO薄膜的制备与研究的中期报告.docxVIP

p型ZnO薄膜的制备与研究的中期报告 摘要： 本文主要介绍了在氧化锌（ZnO）单晶种子衬底上制备p型氧化锌薄膜的过程和实验结果。通过溶胶-凝胶方法制备了无掺杂和N掺杂的ZnO薄膜，并使用金属有机分解物（MOCVD）在这两种薄膜上压成N型杂质，并以胡芦植物作为源气体压力。对薄膜进行X射线衍射（XRD）分析和扫描电子显微镜（SEM）观察，发现薄膜表面结构光滑、致密。接下来，使用电学测试表征薄膜的电学性质。在N掺杂的样品上，获得了最大的n型载流子浓度和最小的电阻率。在p型杂质掺杂过程中，在N掺杂样品中发现额外的p型杂质，并在无掺杂样品中发现了零乱p型杂质。 介绍： 氧化锌（ZnO）材料在半导体器件领域具有广泛的应用前景。ZnO具有宽的带隙（3.37eV），高透光性和高电子迁移率，很可能成为照明和显示技术中的一种非常有前途的材料。然而，ZnO还必须实现p型掺杂以实现完整的p-n结在线性和非线性电子器件领域的应用。虽然通过制备金属掺杂ZnO薄膜已经制备出了n型ZnO薄膜，但是关于p型ZnO薄膜的制备仍然是材料研究中的一个难点。 实验： 制备 在实验室中使用溶胶-凝胶法制备出了无掺杂和N掺杂的ZnO薄膜。同时，使用金属有机分解物（MOCVD）在这两种薄膜上压成N型掺杂，并以胡芦植物作为源气体压力。 表征 对制备的薄膜进行表征，通过XRD分析，发现无掺杂和N掺杂ZnO薄膜均具有wurtzite结