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等离子体刻蚀装置原理图 2片弧状电极结高频电源（RF），被刻蚀的试件放在托架上，容器内部产生的等离子体如箭头所指方向扩入被刻蚀试件周围进行刻蚀，反应生成的挥发物由真空系统抽出。 本文档共152页；当前第94页；编辑于星期三\6点49分 　　　Ｆ基等离子体刻蚀 采用CF4惰性气体产生等离子体，有多种分解生成物存在（如图）。其中被激活的F（氟）有极强的化学活性，可以和处在等离子体中的物质如Si,SiO2及Si3N4等发生如下反应进行刻蚀： 本文档共152页；当前第95页；编辑于星期三\6点49分 反应离子刻蚀装置原理图 被刻蚀的试件放在阴极板上，高频电源（RF）作为阴极电源，使充入的惰性气体离子化。极板冷却形式为循环水冷。其刻蚀原理为：反应溅射＋等离子体化学反应，即既有离子的轰击效应，又有活性游离基与被刻蚀试件的化学反应，应此可以达到较高的刻蚀速率，并能得到较垂直的侧面轮廓。 本文档共152页；当前第96页；编辑于星期三\6点49分 　　　几种刻蚀方法的比较 本文档共152页；当前第97页；编辑于星期三\6点49分 表面微加工技术 1、薄膜生成技术 　a)物理气相淀积技术（PVD） 　真空蒸镀、溅射成膜（直流溅射、射频溅射）。 　b)化学气相淀积技术（CVD） 　常压化学气相淀积法、低压化学气相淀积法、等离子强化化学气相淀积法。 2、牺牲层技术 本文档共152页；当前第98页；编辑于星