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发光二极管电学特性测试实验报告
实验目的
测量LED正常发光的电流范围;
测量各种LED正向导通电压。
测量各种LED烧毁的最小电流。
实验仪器
1、万用表;
2、10 ?/0.25W电阻1个,5k ?电位器(502)1个;
3、φ3mm红、黄、绿、兰、白LED各1个;
4、φ10mm红、黄、绿、兰、白LED各1个;
5、直流电压源(+5V)。
实验原理
1、LED简介
发光二极管简称为LED(light-emitting diode)。它是 半导体二极管的一种,可以把电能转化成 光能。发光 二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成,也具有 单向导电性;当给发光二极管加上 正向电压后,从P区注入到N区的 空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自发辐射的可见或非可见辐射光。
不同的半导体材料中禁带宽度不同,因而电子和空穴复合时释放出的能量多少不同,释放出的能量越多,则发出的光的 波长越短。由镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)的化合物制成的二极管,当电子与 空穴复合时能辐射出 可见光,因而可以用来制成发光二极管。红色发光二极管的波长一般为650~700nm,黄色发光二极管的波长一般为585 nm左右,绿色发光二极管的波长一般为555~570 nm。
图1 PN结的电致发光 (a)零偏压,(b)外加正向偏压VF
GaAsP
GaAsP
N
?
GaAs
N
?
GaAsP
P
?
4
3
N
Si
下电极(
Ni
Ge
Au
,
,
)
上电极(
Al
)
(a)
d
h
(b)
图2 磷化镓发光二极管
(a)管芯截面图 (b)封装后的磷化镓发光二极管
按其使用材料可分为磷化镓(GaP)发光二极管、磷砷化镓(GaAsP)发光二极管、砷化镓(GaAs)发光二极管、磷铟砷化镓(GaAsInP)发光二极管和砷铝化镓(GaAlAs)发光二极管等多种。按其封装结构及封装形式除可分为金属封装、陶瓷封装、塑料封装、树脂封装和无引线表面封装外,还可分为加色散射封装(D)、无色散射封装(W)、有色透明封装(C)和无色透明封装(T)。
2、LED参数
发光二极管的两根引线中较长的一根为 正极,应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长,但管壳上有一凸起的小舌,靠近小舌的引线是正极。按发光管出光面特征分圆型、方型、矩型、面发光管、侧向管、表面安装管等。最为常见为圆型,其直径有:分为φ3mm3mm、φ4.4mm、φ5mm、φ8mm、φ10mm等。国外通常把φ3mm的发光二极管记作T-1;把φ5mm的记作T-1(3/4);把φ4.4mm的记作T-1(1/4)。
发光二极管的 反向击穿电压约5伏;最大工作电流与发光二极管的尺寸大小有关,φ3mm的发光二极管,最大工作电流为20mA;φ4.4mm的发光二极管,最大工作电流为40mA;φ7.8mm的发光二极管,最大工作电流为120mA;发光二极管伏安特性如图3所示。
图3 导通压降与颜色和电流的关系
从图3可见,红色发光二极管正向导通压降最低,约为1.8V~2.0V左右;黄色的正向压降次之,约为2.0~2.2V,绿色的压降为3.0~3.2V。
它的正向 伏安特性曲线很陡,使用时必须串联限流 电阻以控制通过管子的 电流,否则电流过大会烧毁LED。限流电阻R可用下式计算:
式中E为电源电压,VF为LED的 正向压降,IF为LED的工作电流。
LED(发光二极管)是pn结,LED具有非线性伏安特性(I-V特性);还具有单向导电性,即外加正偏压表现低电阻,反偏压为高电阻。
实验电路
LED伏安特性测试电路
发光二极管正向导通,当达到导通电流时,二极管发光,当电流过大,发光二极管会烧毁。实验原理图如图4所示:
图4 实验原理图
实验步骤
1、将RW1电阻调至最大,按图4连接,图中LED使用红色发光二极管。观察红色发光二极管是否发光,将此时流过LED的电流和LED两端的电压记录在表1中。
2、将RW1缓慢调小,进行测试,数据填入表1中。注意记录刚亮、亮、极亮、烧毁五个状态的电流电压值。
实验数据与分析
表1 φ3mm 的LED V-I特性和发光状况
红光LED(φ3mm)
黄光LED(φ3mm)
绿光LED(φ3mm)
兰光LED(φ3mm)
白光LED(φ3mm)
电流I/mA
电压V/V
功率P/mW
目测发
光状态
电流I/mA
电压V/V
功率P/mW
目测发
光状态
电流I/mA
电压V/V
功率P/mW
目测发
光状态
电流I/mA
电压V/V
功率P/mW
目测发
光状态
电流I/mA
电压V/V
功率P/mW
目测发
光状态
0.0
1.0
0.0
1
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