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- 2023-10-11 发布于四川
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本公开提供一种具有深台面结构的晶圆片的光刻方法,包括:在具有深台面结构的晶圆片表面匀涂光刻胶;对匀涂过光刻胶的晶圆片进行预烘;对预烘的晶圆片依次进行完成第一次曝光、第一次显影、第二次曝光以及第二次显影,以减弱曝光时的边缘衍射效应;其中,第一次曝光和第二次曝光的剂量相同;刻蚀待刻蚀区域;去除光刻胶,完成光刻。本公开经过二次曝光,减弱曝光时的边缘衍射效应,解决晶圆片的深台面边缘处光刻胶较薄的问题;采用稀释后的显影液,抑制显影液的减薄效果,保障深台面边缘处光刻胶的保护性;在预烘过程中,采用先低温恒温减
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116859676 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310590000.0
(22)申请日 2023.05.24
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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