二极管稳压管及整流滤波稳压电路演示文稿.pptVIP

滤波电路 交流电经整流后成为单向脉动电压，要将其变为较为 平滑的直流电，可通过滤波电路来改善其脉动性。 u t 0 滤波 u t 0 整流 本文档共51页；当前第31页；编辑于星期一\8点59分 电容滤波电路 ?(忽略二极管压降)?uC（u0）跟随u2变化? u2达最大, uC （u0）也达最大 D导通 ?u2对C充电 u2 + - D RL + - u0 + C a b u0 D导通 D截止 D导通 0 无电容滤波 u0 0 D截止 D导通 电容滤波 当u2处于正半周： ? 本文档共51页；当前第32页；编辑于星期一\8点59分 电容较慢放电 (放电回路时间常数大) u2按正弦规律较快下降 当u2由峰值下降： 当u2uC，D截止 ? uc继续对R放电?直至u2到达另一正半周的u2uC， D重新导通 u2 + - D RL + - u0 + C a b u0 D导通 D截止 D导通 0 无电容滤波 u0 0 D截止 D导通 电容滤波 本文档共51页；当前第33页；编辑于星期一\8点59分 加入滤波后， 负载上得到的直流电压的脉动情况改善， 输出电压的平均值提高 uo u ?t O ?t O 本文档共51页；当前第34页；编辑于星期一\8点59分 电路元器件的选择 1 ) 滤波电容的选择 滤波电容越大，负载电阻R越大，放电时间常数?=RC越大，输出电压越平滑，直流电压越高。 一般取： 半波整流：RLC=(3~5)T 全波整流：RLC=(3~5)T/2 T为交流电压u2的周期；滤波电容一般取几十uF~几千uF， 通常采用电解电容，使用时要注意正负极性，不能接反。 a. 电容值的选择 本文档共51页；当前第35页；编辑于星期一\8点59分 负载开路，在交流电压正半周，D导通，电容器上电压充至交流电压最大值?2U2，由于负载开路，电容器不能放电，随后D截止，导致该电压一直维持。故电容耐压应大于此值. 一般取：(1.5~2)U2 b. 滤波电容耐压值的选择： u2 + - D RL + - u0 + C a b 本文档共51页；当前第36页；编辑于星期一\8点59分 二极管稳压管及整流滤波稳压电路演示文稿 本文档共51页；当前第1页；编辑于星期一\8点59分 优选二极管稳压管及整流滤波稳压电路 本文档共51页；当前第2页；编辑于星期一\8点59分 半导体 N型半导体 P型半导体 通过一定的工艺，使半导体一部分是P型， 一部分N型，则中间交接面形成PN结。 PN结 P N PN结 本文档共51页；当前第3页；编辑于星期一\8点59分 PN结的单向导电性 实验 P N + R I P N + R I?0 PN结正向偏置时，导通电流大，电阻小，称导通 PN结反向偏置时，导通电流小，电阻大，称截止 本文档共51页；当前第4页；编辑于星期一\8点59分 二极管由PN结加上引出线和壳体构成， P极引出线称正极，N极引出线称负极。符号为： + – 用万用表判别二极管的正负极 – + ? 黑 红 0 ? 黑 ? 红 0 ? + – 本文档共51页；当前第5页；编辑于星期一\8点59分 半导体二极管基本结构 (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于检波和变频等高频电路。 结面积大、正向电流大、结电容大，用于工频大电流整流电路。 (c) 平面型 用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 本文档共51页；当前第6页；编辑于星期一\8点59分 二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性曲线指流过 二极管的电流与二极管两端的 电压之间的关系。 不同二极管的伏安特性曲线 有差别，但形状相似： U（V） 0.4 0.8 -50 -25 -20 80 60 40 20 -40 -60 特点：非线性 本文档共51页；当前第7页；编辑于星期一\8点59分 当二极管正向偏置： 死区: 硅管约0.5V，锗管约0.1V，正向 电流非常小,这一电压称死区电压 导通： 当正向电压低于某一值， 超过死区电压后, 电流在很大范围内变化，而电压 变化很小。硅管约0.6?0.7V， 锗管约0.2?0.3V 死区 电压 U（V） 0.5 0.7 -50 -25 -20 80 60 40 20 -40 -60 本文档共51页；当前第8页；编辑于星期一\8点59分 当二极管反向偏置 关断： 当二极管反向偏置,反向 电流很小,锗管约几十?A, 小功率硅管小于1?A 击穿： 当反向电压加大到某一值， 反向电流突然急剧增大， 二极管击穿烧坏。 U(V) 0.4 0.8 -50 -25 -20 80 60 40 20 -40 -60 反向击穿电压U(BR) 本文档共51页；当前第9页；编辑于星期一\8点59