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模拟电子基础－试讲 试讲内容：《模拟电子技术基础》第一章-半导体器件基础 引言 电子技术就是研究电子器件及电路系统设计、分析及制造的工程实用技术。由模拟电子技术和数字电子技术两部分组成的电子技术是电气工程非常重要的两门基础课程。 模拟电子技术将以半导体基础入手，进而讲述二极管，双极节型晶体管，场效应管等基本电子原件，然后过度到由这些原件构成的功能电路，诸如放大电路，运算电路的一些知识 本节的主旨在于半导体器件基础以及PN节，二极管的一些特性 本章引入问题 1.为什么采用半导体材料制作电子器件？ 2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？ 3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 　当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？ 4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？ 1.半导体基础知识 1.1 导体，半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 1.2半导体的能带结构 绝缘体 能带间隙3ev 半导体 能带间隙3ev Ge: ≈?0,7?eV Si: ≈1,1?eV 导体 能带重叠 附加知识点 能带理论： 1.构成晶体时外层电子壳重叠?电子公有化 2.两个单一原子相互接近?外层同一轨道电子受另一个原子势场作用?电子能量细小改变?能级分裂近似能量能级形成能带（简并）（此为允带，之间为禁带） 3.半满的允带（外层高能级）称之为导带，导带下的全满允带称之为价带。（其间为能带间隙） 本征半导体 N型半导体 P型半导体 1.3本征半导体 +4 Si晶体的晶格 共价键（价电子共有） Si晶体的平面图 本征半导体的特点： 1.纯净，结构完整的半导体晶体称为本征半导体 2.温度为绝对零度时，本征半导体不导电（通常认为无参杂的半导体不导电） 3.光照，温度升高?电子束缚力减弱?形成自由电子/空穴（本征激发） +4 温度，光照 1.4 杂质半导体（N,P型半导体） +4 加入微量的5价元素（如磷，正离子） N型半导体的平面图 参杂的引入方法（附加知识点）： 1.晶体生长过程中引入参杂 2.扩散作用引入参杂（例子，脱水作用） 3.离子注入引入参杂（场效应管，例子离子加速撞击，打靶） +4 导电性 +5 电子 加入微量的3价元素（如硼，负离子） +3 空穴 P型半导体的平面图 不产生新的空穴，电子为多子 不产生新的电子，空穴为多子 1.4 本征半导体和杂质半导体的一些特性 1.4.1 本征半导体的特性 在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p=1.43×1010/cm3 本征半导体载流子浓度与温度的关系 1.4 本征半导体和杂质半导体的一些特性 1.4.2 杂质半导体的特性 1.掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 2.杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 3.杂质半导体总体上保持电中性。 本征半导体载流子浓度与温度的关系 本征半导体 受主引入 施主引入 参杂基本电离 ＋本征激发 参杂未全部电离 对于之前部分的几个问题 1.为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂， 改善导电性能？（共价键） 2.为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？（本征激发） 3.为什么半导体器件有最高工作频率？（内置电容） 1.5 PN节的形成 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 电离后的参杂（正表示正离子） 内电场方向 空间净电荷区域 参杂较少，长 1.5 PN节的形成 1.5.1 扩散运动与漂移运动 1.电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 扩散运动形成空间电荷区 PN 结，耗尽层。 2.内电场有利于少子运动?漂移 少子的运动与多子运动方向相反 对于空穴，电场力方向 对于电子，电场力方向 内电场方向 内电场电位差 1.5 PN节的形成 1.5.2 扩散运动与漂移运动的平衡 1.扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小；