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一种磁孤子产生装置以及产生方法。磁孤子产生装置包括：基底层，该基底层具有凹坑；磁性膜堆，设置在所述基底层上并且至少包括磁性层，该磁性层在对应于所述凹坑的位置发生凹陷；以及磁场施加件，向所述磁性膜堆施加磁场，所述凹坑的深度方向为第一方向，所述磁场的方向平行于所述第一方向。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884728 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310944459.6
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 清华大学
地址 100084 北
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