CMOS射频集成电路设计-CMOS射频IC器件模型.pptxVIP

CMOS射频IC器件模型;2.1 概 述;　　　本书研究的芯片设计采用的是无生产线的集成电路设计方法。所谓无生产线芯片设 计,是指设计者根据设计指标选择某一种特定的工艺和代工厂,基于代工厂提供的工艺模 型和工艺套件,采用集成电路设计软件完成电路设计、前仿真、版图设计和后仿真,最后 建立 GDS Ⅱ文件,并提供给指定的代工厂,由代工厂来完成芯片的制造。这对于设计者 来说,不需考虑具体制造环节,因此称为集成电路无生产线设计。无生产线集成电路设计 的优势是可以利用境内外先进的集成电路生产线工艺,充分发挥集成电路设计人才优势, 降低成本,从而完成具有自主知识产权的集成电路设计全过程。;　　对于硅基工艺来说,都是以单晶硅为起点的,有两种生长单晶硅的方法。还有一种是 以轻掺杂的硅晶圆为起点的工艺方法,通过外延层来形成器件。 　　随着CMOS工艺技术的发展,利用CMOS工艺制造RF电路已成为趋势,如美国IBM 公 司推出的90nmCMOS工艺,其特征频率达到200GHz。随着各拥有CMOS工艺的代工厂提 供的各种器件模型的精度的不断提高,集成电路设计者设计芯片的成功率也大大提高。 　　常用的 CMOS工艺主要有 P阱硅栅 CMOS工艺、N 阱硅栅 CMOS工艺和双阱硅栅 CMOS工艺。;　　随着 CMOS器件特征尺寸的不断减小,其特征频率不断提高。fT可以表示为上式是从长沟道 MOS晶体管模型的平方率公式推得的,若考虑短沟道效应,则 MOS管的 fT 大体上与1/L 成正比。表2.1列出了典型的 0.18μm 标准 CMOS 工艺的一些特征 参数。;;　　CMOS0.18μm 标准工艺还提供了器件的混合信号(mixed-signal)模型。有源器件有 NMOS、PMOS和二极管;无源器件包括 Poly(多晶硅)电阻、阱电阻、MIM 电容、可变电 容,且提供了厚金属以制作电感。这些元件及其模型可用来支持射频集成电路的设计。;2.2 无源元件及模型;;2.2.2-电容器件模型 　　图2-2给出一种通用射频电容模型。;　　CMOS工艺的电容利用 CMOS工艺中的两层金属和其间介质构成金属叠层电容。考 虑到金属叠层电容的电容量很小,不利于集成,于是 CMOS工艺提供金属 绝缘层 金属(metal-insulator-metal,MIM)电容。例如,SMIC0.18μm 的 RF/mixed-signal工艺在第 五层金属(M5)和顶层金属(M6)之间又增加了一层金属,通过降低金属之间氧化层厚度增 大电容值,该金属与 M5之间形成的 MIM 电容约为1fF/μm2。图2-3给出了 CMOS工 艺的 MIM 电容的等效电路模型。;;　　电容存在误差,通常以相对误差表示。电容的相对误差为式中,L 和W 分别表示 MIM 电容的金属层的长和宽。;2.2.3 电感器件模型 　　在利用 CMOS工艺进行电路和芯片设计时,集成电感是要用到的一个重要元件。图 2-4和图2-5分别给出了0.18μmCMOS工艺的螺旋电感示意图和等效电路模型。 　　图2-4中,W 表示金属线宽度;S 表示金属线间距;N 表示电感圈数;2R 表示内圈 宽度。;;;　　图2-5中,Ls 为该模型的串联电感;Rs 为金属的串联电阻;Cox1,2为金属与衬底之间 氧化层的电容;Csub1,2为衬底电容;Rsub1,2为衬底的损耗电阻;Cs 是金属线圈之间的耦合 电容。;2.3 有源元件及模型;;　　针对二极管,我们首先给出肖克利(Shockley)方程:其中,IS 为反向饱和电流(reversesaturationcurrent),即漏电流(leakagecurrent)。图2-6所 示的模型考虑了肖克利方程的非线性I－U 特性,并做了修正:;其中,发射系数(emissioncoefficient)n 是一个附加参量,目的是使得模型与实际测量情况 更加接近,一般n 取1。图2-6中的C 由扩散电容Cd 和结(或耗散层)电容Cj 构成。Cj 表示为其中,m 是结区梯度系数(junctiongradingcoefficient)。对于突变结来说,m=0.5;对于 缓变结来说,0.2≤m≤0.5。;　　对于结电容来说,一旦外加电压超过阈值电压UTH 后,结电容几乎与外加电压呈现线 性关系。研究表明阈值电压通常为自建电势的一半,即UTH =0.5Udiff。因此在任意外加电 压下,结电容的近似公式变为;关于扩散电容Cd,有如下数学表示式:其中,τT 为渡越时间(transittime)。;　　2. 二极管线性模型 　　如果二极管工作在一个直流电压偏置点上,而且信号仅在该点附近发生微小变化,就 引入了线性模型,