CMOS射频集成电路设计-CMOS射频混频器.pptxVIP

CMOS射频混频器;7.1 概 述;7.2 混 频 原 理;其中,UQ 表示静态工作点,u1 和u2 表示两个输入电压。在UQ 上进行泰勒级数展开, 可得其中,式(7.2.3)可以改写为;　　设u1=U1mcos(ω1t) 和u2=U2mcos(ω2t) ,代入电流表达式并进行三角函数变换,电 流包含以下众多组合频率分量:其中,p、q 为包括零在内的正整数。p=q=1对应有用相乘项产生的频率分量:;　　通常采取以下三个措施来减少无用高阶相乘项以及它们所产生的组合频率分量,实现 较为理想的相乘运算: 　　第一、在器件的特性方面,考虑选择具有平方律特性的场效应管,并选择合适的静态 工作点使该器件的工作处于接近平方律状态。 　　　第二、在电路结构方面,采用多个非线性器件组成平衡电路,目的是为了抵消一些无 用组合频率分量,还可以采用补偿或负反馈技术实现较为理想的相乘运算。;　　第三、在输入电压大小方面,减小u1 或u2,目的是为了减少高阶相乘项以及它们产 生的组合频率分量幅度。设u1 为本振信号,u2 为输入信号,则限制u2 幅度大小,使该器 件工作在线性时变状态就能得到较好的频谱搬移特性。;　　2. 线性时变原理 　　将非线性器件的伏安特性i=f(UQ +u1+u2 ) 在 (UQ +u1 ) 上进行泰勒级数展开,得 到数学表达式如下:若u2足够小,可以忽略u2的二次方及其以上各次方项,则式(7.2.6)可简化为;式中,f(UQ +u1 ) 和f(UQ +u1 ) 与u2 无关,它们都是u1 的非线性函数,且随时间而变 化,称为时变系数或时变参量。i 可以表示为其中,I0 (u1 ) 称为时变静态电流;g(u1 ) 称为时变增量电导。;　　i与u2 之间的关系是线性的,但它们的系数是时变的,我们将这种器件的工作状态称 为线性时变状态。　　当u1=U1mcos(ω1t) 时,g(u1) 将是角频率为ω1 的周期性函数,它的傅里叶级数展开式为;?;7.2.2 上、 下变频 　　在介绍上、下变频原理之前,首先介绍一些信号的傅里叶变换。 　　实信号的傅里叶变换:正负频率分量同时存在且互为共轭,即;　　正弦和余弦函数的傅里叶变换关系式为;　　复数信号可能只存在单边频率分量。复???信号的傅里叶变换关系式为其中,;　　将式(7.2.14)、式(7.2.15)以及式(7.2.18)和式(7.2.19)用频谱表示,如图7-1所示。;　　混频器是一个三端口器件,如图7-2所示,它包含两个射频信号的输入端(射频输入 及本振端)和一个中频输出端。;;　　1. 上变频 　　上变频(正弦载波幅度调制):实现从基带信号到射频信号的变换。上变频的模型如图 7-3所示。;;根据上述知识,可得上变频的频谱如图7-4所示。;　　2. 下变频 　　下变频(正弦载波幅度调制信号的解调):实现从射频信号到中频或基带信号的变换。 下变频的模型如图7-5所示。;　　根据上述知识,同样可得下变频的频谱如图7-6所示。;7.2.3 镜像频率 　　假设混频器的输入信号中包含有射频信号和干扰信号的复合信号yRF+IMG (t) ,则对应 的频谱为YRF+IMG (ω) 。设本振信号c(t) 为余弦信号,则混频器的输出信号为yIF+IMG (t) , 其对应的频谱为YIF+IMG (ω) ,此时的下变频的模型如图7-7所示。;;　　设则根据卷积定理,可得于是有;　　混频器的输 入 信 号 频 谱 YRF+IMG (ω) 如 图 7-8(a)所 示,干 扰 信 号 的 中 心 频 率 为 (ωc-ωIF ) 和 (-ωc+ωIF ) 。C(ω) 本振信号的频谱如图7-8(b)所示;图7-8(a)的频谱被 搬移到ωc 处的频谱如图7-8(c)所示,被搬移到-ωc 处的频谱如图7-8(d)所示。将图7-8 (c)和图7-8(d)的频谱叠加后得到混频器输出信号频谱YIF+IMG (ω) ,如图7-8(e)所示。;;7.2.4 复数混频 　　载波为复指数载波的混频称为复数混频。 　　1. 基带信号上变频 　　复数混频器的原理框图如图7-9所示。;设则根据卷积定理,可得于是有;　　根据上述知识,可得上变频的频谱如图7-10所示。;　　2. 实信号下变频(正交下变频) 　　设混频器的输入信号x(t) 为射频信号与镜像干扰信号的和,本振信号为则实信号下变频输出信号可以表示为其中,;实信号下变频的模型如图7-11所示。;　　输入信号的频谱 X (ω) 如图7-12(a)所示,本振信号的频谱如图7-12(b)所示,下变 频输出信号的频谱如图7-