《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案) .pdfVIP

《模拟电子技术》期末考试复习题 班级： 学号： 姓名： 成绩： 一、填空题 1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V ，锗二极管导通时的管压降约为____ V 。二极管的两端加正向 电压时，有一段死区电压，锗管约为____V ，硅管约为____V 。 0.7 0.3 0.2 0.5 2 ．半导体具有____特性、____特性和____ 的特性。 掺杂 热敏 光敏 3 ．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____ ；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管 将会____ 。 烧坏（开路） 击穿（短路） 4 ．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________ 。 最大整流电流（额定电流） 最高反向工作电压（耐压） 5 ．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____ ，反向截止时反向电流为____ 。 0V 0A 6 ．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____ ；若正、反 向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____ 。 击穿 烧坏