半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-10-18 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：衬底，其具有单元区和外围区；晶体管，其在衬底之上在外围区中；下层间绝缘层，其在晶体管之间；在晶体管和下层间绝缘层之上的互连部和第一间隔物层；上层间绝缘层，其在互连部和第一间隔物层之上。第一间隔物层被设置在互连部之间。第一间隔物层包括第一下间隔物层和在第一下间隔物层之上的第一上间隔物层。第一下间隔物层和第一上间隔物层包括硅、硼和氮。第一下间隔物层的硼浓度与第一上间隔物层的硼浓度不同。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895639 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202310189133.7 (22)申请日 2023.02.22 (30)优先权数据 10-2022-0044630