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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-10-18 发布于四川
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半导体装置.pdf

    提供即使在末端区域的电场强，保护膜含有水分的情况下，也会抑制由水分电解作用而形成的生成物的产生的半导体装置。半导体装置在半导体衬底的厚度方向流动主电流，具备：第1导电型的半导体层，设置于半导体衬底之上；第1主电极，设置于半导体层之上；第2主电极，设置于半导体衬底的与第1主电极的设置侧相反侧的主面；第2导电型的电场缓和区域，设置于半导体层的与流动主电流的有源区域相比更靠外侧的末端区域，外侧是指半导体装置的外周侧；第1保护膜，至少覆盖电场缓和区域之上；保护金属膜，从第1保护膜的外侧的端缘部之上设置到

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111081641 A (43)申请公布日 2020.04.28 (21)申请号 20191

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