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本申请公开了一种胶边转移结构及制备方法，用于消除旋涂光刻胶过程中碲镉汞基材边缘产生的光刻胶边对光刻的影响，所述胶边转移结构包括设置在碲镉汞基材边缘的基础结构，所述基础结构包括基于碲镉汞基材边缘设置的胶边引流区和胶边存储区，其中所述胶边引流区用以在旋涂光刻胶过程中将光刻胶引入所述胶边存储区。本申请实施例提出了一种适用于方形碲锌镉基碲镉汞外延片，能够消除光刻胶边对曝光的影响的结构及方法，该工艺方法对基材的污染及损伤小，对不同光刻胶膜层通用性强，提高了碲镉汞探测器的成品率，且后续多步光刻套刻中不需要重
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116893577 A
(43)申请公布日 2023.10.17
(21)申请号 202310719395.X
(22)申请日 2023.06.16
(71)申请人 中国电子科技集团公司第十一研究
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