处理装置、程序及半导体器件的制造方法.pdfVIP

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2023-10-21 发布于四川
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处理装置、程序及半导体器件的制造方法.pdf

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仅通过指定作为目标温度的晶片温度，就能够创建工艺配方并进行温度控制，能够减少设定错误。具备：存储部，其至少存储温度控制表和工艺配方，其中，该温度控制表针对衬底的目标温度设定有对衬底进行加热的加热器的设定值和对上述衬底进行加热的灯的设定值，该工艺配方由用于对衬底进行处理的多个步骤构成；以及执行上述工艺配方的控制部，上述控制部构成为，根据与上述工艺配方内所设定的衬底温度相当的目标温度在上述温度控制表中进行检索，将针对与上述衬底温度相当的目标温度设定的设定值设定为上述工艺配方内的加热器的温度设定值、加

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116918033 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202180094576.7 (51)Int.Cl .