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沟槽栅半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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沟槽栅半导体器件及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种沟槽栅半导体器件，沟槽栅包括形成于半导体衬底中沟槽、形成于所述沟槽的底部表面和侧面的栅氧化层；栅氧化层由第一氧化层和第二氧化层叠加而成；第一氧化层为炉管热氧化层；第二氧化层为PECVD氧化层；栅氧化层具有通过RTA处理的热致密结构；利用沟槽中形成的PECVD氧化层具有底部表面的厚度大于侧面厚度的特性，使栅氧化层具有位于沟槽的底部表面的厚度大于位于沟槽的侧面的厚度的结构。本发明还公开了一种沟槽栅半导体器件的制造方法。本发明能提高器件的BVGSS，同时不影响器件的阈值电压，工艺简单且

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110739347 A (43)申请公布日 2020.01.31 (21)申请号 20191

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