微电子器件2-5课件.pptxVIP

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2023-10-25 发布于江苏
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微电子器件2-5课件.pptx

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概述：本文介绍了微电子器件2-5课件的主要内容，包括势垒电容形成的机理、导出突变结、线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。此外，还介绍了一些相关的关键词和示例数据。

本节主要内容：势垒电容形成的机理；导出突变结、线性缓变结和实际扩散结的势垒电容的计算方法。势垒电容 CT 扩散电容 CD 2.5 PN结的势垒电容 PN 结电容 2.5.1 势垒电容的定义当外加电压有 ( - V ) 的变化时，势垒区宽度发生变化，使势垒区中的空间电荷也发生相应的 Q 的变化。 P 区 N 区 PN 结势垒微分电容 CT 的定义为简称为势垒电容。 (2-126) 由于 xp 与 xn 远小于势垒区总宽度 xd ，所以可将这些变化的电荷看作是集中在势垒区边缘无限薄层中的面电荷。这时 PN 结势垒电容就像一个普通的平行板电容器，所以势垒电容 CT 可以简单地表为 P 区 N 区有时也将单位面积的势垒电容称为势垒电容。 (2-127) 可见， CT 也是取决于低掺杂一侧的杂质浓度。当外加较大反向电压时，可将 Vbi 略去，这时对于P+N 单边突变结，对于PN+ 单边突变结， 2.5.3 线性缓变结的势垒电容当外加较大反向电压时， 2.5.4 实际扩散结的势垒电容实际扩散结势垒电容CT 的计算方法一：查曲线(附录中的附图1)。方法二：将实际扩散结近似看作单边突变结或线性缓变结，然后用相应的公式进行计算。图 2-48 例 2.2 例 2.2 由附图 1 (c) ：按突变结计算：按线性缓变结计算：例 2.3 由附图1 (a) ：按突变结计算：按线性缓变结计算：