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第三章-非热平衡状态下的半导体 第3章 非热平衡状态下的半导体 对硼浓度为NA=5×1016cm-3的Si样品，室温下一恒定光源在其中均匀地产生密度为1015cm-3、寿命为5μs的额外载流子。请问：(a)此Si样品的少子是什么导电类型？(b)光照关闭后10μs时少子密度还有多少？ 解：（a）此样品的少子导电类型是n型。 （b）已知光照停止后额外载流子密度的衰减规律为 将1015cm-3，，代入公式可得 因此剩余的少子浓度为 接上题，若该样品光照前（t0）处于热平衡状态，从光照开始时（t=0时刻）计时，求：(a)光生载流子的产生率; (a)光照开始后t时刻的少数载流子密度。 解：（a）根据光生载流子的产生率关系可知： 因此产生率 一受主浓度为5?1014cm-3的p型Si样品，额外载流子的注入使其EFn-EF=0.01 kT，请问是大注入还是小注入？若注入使得EF-EFp=0.01kT，情况又如何？ 解：非平衡状态下电子的浓度公式为： ,其中， 代入数据得 因为因此是小注入。 非平衡状态下空穴的浓度公式为： 所以是大注入。 T=300K时，某n型半导体的n0=1015cm-3，ni=1.5?1010cm-3。在非平衡状态下，假设额外载流子的密度为△n=△p= 1013cm-3，试计算准费米能级的位置。 解：由平衡态电子密度和空穴密度的乘积关系可以算出 再由电子浓度和费米能级关系知： 得：带入数据可得： 由空穴浓度和费米能级关系知： 得：带入数据可得： 在NA=5?1016cm-3的p型Si中注入密度为0.1NA的额外载流子，求室温下准费米能级的位置。 解：假设杂质全部电离，故可得p0=NA=5?1016cm-3 由平衡态电子密度和空穴密度的乘积关系可以算出 由电子浓度和费米能级关系知：得：，其中 带入数据可得： 由空穴浓度和费米能级关系知： 得：带入数据可得： NA=1016cm-3的p型砷化镓样品，室温下50μm内额外载流子密度由1014cm-3均匀下降为0，试计算准费米能级相对于本征费米能级的变化。 解： 对含有单一复合中心的本征半导体，若复合中心能级与本征费米能级重合，求额外载流子的寿命。 解：单一复合中心的本征半导体，额外载流子寿命为 对于本征半导体 QUOTE ， 又因为复合中心能级与本征费米能级重合 所以复合中心浓度 所以 热平衡状态下，某半导体的p0=1016cm-3、ni=1.5×1010cm-3，少子寿命为2×10-7s。(a)确定电子的热平衡复合率。(b)如果额外电子的密度△n = 1012cm-3，那么电子的复合率改变了多少？ 解：（a）由热平衡态电子密度和空穴密度的乘积关系可以算出 故电子的热平衡复合率 根据复合率的定义 改变的大小为 硅中杂质磷的浓度为1017cm-3，硅棒的末端(x=0)产生过剩电子和空穴，少子的寿命为1μs，电子的扩散系数为Dn=25cm2/s，空穴的扩散系数为Dp=10cm2/s。若△n(0)=△p(0)= 1015cm-3，试确定稳态时x0处电子的浓度和空穴的浓度。 解：由于 QUOTE 所以是小注入 对于n型半导体，小注入条件下 如果硅棒足够厚，非平衡载流子所遵循的扩散方程为 ; 其中; 所以x0处空穴的浓度为： 所以x0处电子的浓度为： 如果硅棒厚度一定为W时，非平衡载流子所遵循的扩散方程为 ; 所以x0处空穴的浓度为： 所以x0处电子的浓度为： 一块施主浓度为2?1016 cm-3的硅片，含均匀分布的金，浓度为3?1015 cm-3，表面复合中心密度为1010cm-2，已知硅中金的rp=1.15?10-7cm3/s，表面复合中心的rS=2?10-6cm3/s，求：（a）小注入条件下的少子寿命、扩散长度和表面复合速度；b）在产生率G=1017/s.cm3的均匀光照下的表面空穴密度和表面空穴流密度。 解：a) 小注入条件下的少子寿命 由总杂质浓度查图知该硅片中少数载流子的迁移率，因而扩散系数 扩散长度 表面复合速度： 2）按式(5-162)，均匀光照下考虑表面复合的空穴密度分布 因而表面（x=0）处的空穴密度 式中p0=ni2/n0，考虑到金在n型Si中起受主作用，n0=ND－NT=1.9?1016 /cm3，故 代入数据得表面空穴密度 因为p0p(0)，所以可认为p(0)=?p(0)。根据表面复合率的物理含义，表面复合率即流向表面的空穴流密度，其值为： 在一块n型GaAs中，T=300K时，电子密度在0.10cm距离内从1×1018cm-3到7×1017cm-3线性变化。若电子扩散系数Dn=225cm2/s，求扩散电流密度。 解：根据扩散电流密度的公式 代入数据得 一硅样品中电子密度为n(x)=10