-干法刻蚀课件.pptVIP

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2023-10-25 发布于河北
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第十章干法刻蚀;刻蚀的概念: 用化学或物理的方法有选择地去除不需要的材料的工艺过程称为刻蚀。由于硅可以作为几乎所有集成电路和半导体器件的基板材料，所以本章主要讨论在硅基板表面的刻蚀过程。刻蚀示意图： ;刻蚀概述;刻蚀参数;1. 刻蚀速率刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面不需要的材料的速度。刻蚀速率＝ΔT/t（?/min) 其中，ΔT=去掉的材料厚度（?或μm） t=刻蚀所用时间（min） ;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;干法刻蚀;干法刻蚀;干法刻蚀的机制;物理化学刻蚀：通过等离子体中的离子或活性基与被刻蚀材料间的相互作用实现刻蚀。;干法刻蚀的机制;干法刻蚀的过程;干法刻蚀的终点检查;等离子体刻蚀;圆桶式等离子体刻蚀机刻蚀系统的射频电场平行于硅片表面，不存在反应离子轰击，只有化学作用（仅在激发原子或活性气氛中进行刻蚀）。;反应离子刻蚀;反应离子刻蚀;反应离子刻蚀;普通RIE及高密度等RIE系统比较：;反应离子束刻蚀;反应离子束刻蚀;反应离子束刻蚀;气体离化团束加工技术;气体离化团束加工技术;微机械加工;干法刻蚀用离子源的开发;干法刻蚀设备实例;习题试比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点比较物理干法刻蚀和化学干法刻蚀的机制第十章干法刻蚀;刻蚀的概念: 用化学或物理的方法有选择地去除不需要的材料的工艺过程称为刻蚀。由于硅可以作为几乎所有集成电路和半导体器件的基板材料，所以本章主要讨论在硅基板表面的刻蚀过程。刻蚀示意图： ;刻蚀概述;刻蚀参数;1. 刻蚀速率刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面不需要的材料的速度。刻蚀速率＝ΔT/t（?/min) 其中，ΔT=去掉的材料厚度（?或μm） t=刻蚀所用时间（min） ;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;刻蚀参数;干法刻蚀;干法刻蚀;干法刻蚀的机制;物理化学刻蚀：通过等离子体中的离子或活性基与被刻蚀材料间的相互作用实现刻蚀。;干法刻蚀的机制;干法刻蚀的过程;干法刻蚀的终点检查;等离子体刻蚀;圆桶式等离子体刻蚀机刻蚀系统的射频电场平行于硅片表面，不存在反应离子轰击，只有化学作用（仅在激发原子或活性气氛中进行刻蚀）。;反应离子刻蚀;反应离子刻蚀;反应离子刻蚀;普通RIE及高密度等RIE系统比较：;反应离子束刻蚀;反应离子束刻蚀;反应离子束刻蚀;气体离化团束加工技术;气体离化团束加工技术;微机械加工;干法刻蚀用离子源的开发;干法刻蚀设备实例;习题试比较干法刻蚀和湿法刻蚀的优缺点比较物理干法刻蚀和化学干法刻蚀的机制