一种AlN缓冲层及其制备方法、紫外LED外延片.pdfVIP

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2023-11-04 发布于四川
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一种AlN缓冲层及其制备方法、紫外LED外延片.pdf

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本发明公开了一种AlN缓冲层及其制备方法、紫外LED外延片，涉及半导体器件技术领域，该AlN缓冲层层叠于衬底上，AlN缓冲层包括：成核层、设于成核层上的第一岛状生长层、第二岛状生长层与三维岛合并层；其中，第二岛状生长层与三维岛合并层按预设周期交替层叠以将第一岛状生长层填充。本发明采用上述AlN缓冲层进行外延片的制作，可以降低缺陷和位错的密度，可以得到更好的晶体质量，可以有效的控制底层的应力快速累积，有效解决紫外外延片表面裂纹的缺陷，通过降低底层的位错和缺陷，可以减少非辐射复合，提高有源区的发光效

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116995165 A (43)申请公布日 2023.11.03 (21)申请号 202311236566.X (22)申请日 2023.09.25 (71)申请人江西兆驰半导体有限公司地址 3