1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

碲纳米带阵列及其制备方法.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约1.49万字
  • 约 18页
  • 2023-11-04 发布于四川
  • 举报

碲纳米带阵列及其制备方法.pdf

    本发明揭示了一种碲纳米带阵列及其制备方法，所述制备方法包括：S1、提供管式炉，所述管式炉包括第一温区和第二温区；S2、将碲源和云母衬底分别放置于第一温区和第二温区；S3、对管式炉进行抽真空；S4、对管式炉进行升温、保温及冷却，同时通入防氧化载气，将第一温区中的碲源输送至第二温区，并沉积于云母衬底上形成碲纳米带阵列，其中，所述第一温区的最高温度为350℃～450℃，第二温区的最高温度为330℃～390℃。本发明制备方法操作简单、原料安全、设备简易、成本较低，制备得到的碲纳米带阵列具有取向高度一致、

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115465843 A (43)申请公布日 2022.12.13 (21)申请号 202211236203.1 (22)申请日 2022.10.10 (71)申请人 中国科学院苏州纳米

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >