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gaas在太赫兹波频段的光学特性 太赫波特性测试 泰兆波是指频率为0.1.10hz（1吨/1012hz）的声波，波长为300030hz。 它在长波段与毫米波 (亚毫米波) 相重合, 而在短波段与红外线相重合, 太赫兹波在电磁波频谱中占有很特殊的位置。 由于在相当长时间里THz波源的问题未能很好解决, 太赫兹波科学技术的发展受到很大的限制, 从而使其应用潜能未能发挥出来。 研究发现太赫兹波可用于活体成像、 国家安全、 生物医学、 农业、 无损检测以及THz通信等许多领域。 由于太赫兹波具有广泛的应用前景, 如今世界上许多国家都开始致力于THz技术的研究, 尤其在THz波产生技术、 THz波探测, 以及太赫兹波应用等方面。 砷化镓 (GaAs) 是产生太赫兹波的半导体异质结构激光器、 太赫兹波发射天线及接收天线的基本材料, 目前对GaAs在太赫兹波频段的光学特性研究还比较少。 当前能用于对半导体材料的太赫兹波特性进行测试的太赫兹波系统主要有: 太赫兹波时域系统 (TDS) 和返波振荡器 (BWO) 系统, 已有利用TDS进行测试液体, 爆炸物材料, 聚合物和气体等测试的报道[9,10,11,12,13,14,15,16]。 本文利用BWO太赫兹波系统对不同电阻率的GaAs材料样品在太赫兹波频段的性质进行测试。 通过对GaAs在太赫兹波段的透射谱进行了测试, 并对透射谱进行了计算和分析