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电荷耦合器件(CCD) 实现光电转换、信号储存、转移、输出、处理及电子快门等 特点：1）体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、寿命长。 2）空间分辨率高：4096X4096 3）光电灵敏度高、动态范围大。 4）模拟、数字输出方便；与微机接口方便。 第一节 CCD的物理基础 MOS晶体管器件，但不工作于反型层而是深耗尽层。 由衬底（P型单晶硅）、氧化层（SiO2）和金属电极构成。 UG不同，物理特性不同。 一、稳态MOS结构物理性质 UG=0时，如a）所示。 1.多数载流子堆积状态 UG 0,表面势Us0;-qUs0;空穴增多; 表面能量增大;表面能带如b)所示. 2.多数载流子耗尽状态 UG 0,表面势Us0;-qUs0;空穴被排斥;表面能量减小;出现“多子耗尽区”或称“势阱”.表面能带如c)所示. 3.载流子反型状态 UG 0且更大超过某一值,表面电子超过空穴浓度,出现反型的N区,见d)所示. 当UG Uth时，MOS结构稳定，称“强反型” 强反型条件： 2kT NA 表面势Us=----ln(--) (3-1) q ni Uth为出现强反型时的UG电压—阈值电压。 Uth=Us+Uox （3-2） 实际中， UG =0时，能