大失配衬底上的HgCdTe分子束外延材料位错抑制技术研究的中期报告.docxVIP

大失配衬底上的HgCdTe分子束外延材料位错抑制技术研究的中期报告 近年来，随着红外光电探测器在民用与军事领域应用的广泛推广，要求工作温度更低、响应更快、灵敏度更高、稳定性与可靠性更强，其中材料的优化与晶体生长工艺的改进是提高红外光电探测器性能的关键。HgCdTe分子束外延材料（MBE）具有生长速度快、在强磁场下具有较高的电子迁移率、缺陷密度低等优点，因此广泛用于红外探测器的制备中。 然而，HgCdTe分子束外延材料在生长过程中容易产生各种位错。位错是晶体缺陷的一种，会降低HgCdTe红外光电探测器的性能，因此，如何在HgCdTe分子束外延材料生长过程中抑制位错的形成成为了关键问题之一。 本中期报告主要研究了一种抑制HgCdTe分子束外延材料位错生成的技术——能量窗口技术。该技术在生长过程中通过调节Hg、Cd蒸汽的流量与能量窗口高度，控制HgCdTe分子束外延材料的生长速率、结构和组分均匀性，从而实现位错抑制。 实验结果表明，能量窗口技术能够有效地抑制HgCdTe分子束外延材料的位错生成。采用该技术生长的HgCdTe分子束外延材料表现出较高的晶体质量，晶格常数与理论值符合较好。同时，对于不同的能量窗口高度，其控制参数也有所不同，需要通过优化生长条件进行控制。 总之，能量窗口技术是一种有效的位错抑制技术，具有很好的应用前景和推广价值。未来我们还将继续深入研究该技术的机理和控制参数对HgCdTe分子束外延材料生长质量的影响，以提高红外光电探测器的性能。