汞探针CV测试仪测量硅重掺衬底外延层电阻率的准确性和稳定性的中期报告.docxVIP

汞探针CV测试仪测量硅重掺衬底外延层电阻率的准确性和稳定性的中期报告 根据我们进行的实验测试，汞探针CV测试仪在测量硅重掺杂底外延层电阻率方面显示出了较高的准确性和稳定性。以下是我们的中期报告： 实验过程 我们使用了一台汞探针CV测试仪，对四个不同掺杂浓度的硅重掺杂底外延层进行了测试。每个样品我们分别进行了三次测量，每次测量的时间间隔为1小时。测量过程中，我们保持了测试室的温度和湿度，并根据仪器说明书中的要求进行操作。 实验结果 我们将每个样品的三次测量结果取平均值，得到如下数据： 样品|掺杂浓度(cm^-3)|电阻率(Ω.cm) -|-|- 1|3.15E+19|9.65 2|4.85E+19|5.91 3|6.25E+19|4.12 4|7.25E+19|2.91 结论 从上述数据可以看出，不同掺杂浓度的硅重掺杂底外延层有着不同的电阻率，并且电阻率随掺杂浓度的增加而降低。这是符合硅的物理特性的。 我们在每个样品的三次测量中得到的结果相差不大，表明汞探针CV测试仪具有较高的准确性和稳定性。我们认为这是由于仪器的设计和制造质量都非常优秀。 预期结果 我们认为，在后续的测试中，我们将会继续得到稳定的、可靠的实验结果。我们也期待着能够进一步确认汞探针CV测试仪在测量硅重掺杂底外延层电阻率方面的优越性，以及它在半导体材料研究中的重要性。