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消除硅沟槽刻蚀中侧墙残留的方法.pdfVIP

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  • 2023-11-08 发布于四川
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消除硅沟槽刻蚀中侧墙残留的方法.pdf

    本发明提供一种消除硅沟槽刻蚀中侧墙残留的方法，包括提供衬底，衬底上形成有STI以定义出不同器件的有源区，STI的剖面为上宽下窄的梯形形状，衬底上形成有覆盖STI的垫氧化层；在垫氧化层上形成第一光刻胶层，打开第一光刻胶层定义出两STI之间需形成沟槽的区域，利用各向异性的刻蚀方法刻蚀该区域中的垫氧化层及其下方的衬底形成目标深度的沟槽，之后去除剩余的第一光刻胶层；形成覆盖沟槽的刻蚀停止层，之后在刻蚀停止层上形成第二光刻胶层，打开第二光刻胶层使得沟槽上方的刻蚀停止层裸露。本发明在沟槽刻蚀后，通过刻蚀停止

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117012648 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310939390.8 (22)申请日 2023.07.28 (71)申请人 上海华力集成电路

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