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PAGE PAGE 72 电子技术基础习题集 第一单元练习 二极管及二极管电路 一、填空题 1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 自由电子 掺杂越多，则其数量一定越 ， 多 ,相反，少数载流子应是 ， 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 2、二极管最主要的特性是 单向导电性 3、二极管按其击穿的方式分为 齐纳击穿 和 雪崩击穿， 两种。 4、在本征半导体中掺入杂质的目的是为了 改善材料的导电性能。掺杂半导体中影响多数载流子数量的最主要因素 ，掺杂浓度，影响少数载流子数量的最主要因素 ，温度（或本征激发） 二、选择题 1、稳压二极管稳压时，其工作在__C__，发光二极管发光时，其工作在_A___。 A、正向导通区 B、反向截止区 C、反向击穿区 2、当PN结外加正向电压时，扩散电流_A___漂移电流，耗尽层_E___。当PN结外加反向电压时，扩散电流_B___漂移电流，耗尽层__D__。 A、大于 B、小于 C、等于 D、变宽 E、变窄 F、不变 3、 如图1-1所示电路中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。若把电源电压调整到V1=10V，则电流的大小将是__C__；设电路中V1=5V保持不变，当温度为20℃时测得二极管的电压为VD=0.7V，当温度上升到40℃时，则VD大小为_F___。 A、I=2mA B、I2mA C、I2mA D、VD=0、7V E、VD 0、7V F、VD0、7 图1-1 图1－2 4、二极管加反向电压时若电流很小，则管子是_A___ 。 A、反向截止状态 B、反向击穿状态 C、短路状态 D、断路状态 5、由理想二级管组成的电路如图1-2所示，其A、B两端的电压为___C____。 A、-12V B、+6V C、-6V D、+12V 三、综合题 画出图1-3中电路输出电压波形。设二极管正向电压为0.7V。 答 图1－3 2、 画出图1－4中电路输出电压波形。设二极管正向电压为0.7V。 答 图1－4 3、电路如图1－5（a）（b）（c）（d）所示，试判断是导通还是截止，并求出AO两端的电压VAO。设二极管是理想的。 答 3 图（a）D导通，V AO =-6V； 图（b）D截止，V AO =-12V； 图（c）D 1 导通，D 2 截止，V AO =0V； 图（d）D 1 截止，D 2 导通，V AO =-6V 图1－5 4、电路如图1－6所示，稳压管Dz的稳定电压Vz=8V,限流电阻R=3kΩ，设Vi=6sinωt V，试绘出VO的波形。 答.稳压二极管D Z 反偏电压大于 8V才会出现反向击穿，但正向电压大于 0.7V就会正向导通，把管压降限制在 0.7V 图1－6 5、二极管是非线性元件，它的直流电阻和交流电阻有何区别？用万用表欧姆档测量的二极管电阻属于哪一种？为什么用万用表欧姆档不同量程测出的二极管阻值也不同? 答.二极管的直流电阻是指二极管两端所加的直流电压与流过它的直流电流之比。交流电阻是动态电阻，不能用万用表测量。 用万用表欧姆档测出的正、反向电阻是二极管的直流电阻。 用万用表欧姆档不同量程去测量二极管的正向电阻， 由于表的内阻不同， 使测量时流过管子的电流大小不同， 也就是工作点的位置不同， 故测出的二极管阻值不同 如图1－7(a)(b)所示，设硅稳压管DZ1、DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V,求图中各电路的输出电压Vo。 答6.图(a): D 1 ，D 2 都工作在反向击穿状态，Vo=13V 图(b): D 2 正偏导通，D 2 优先导通导致D 1 反偏截止， Vo=0.7V 第二单元练习 三极管及三极管电路 一、填空题 1、半导体三极管也称为晶体管 ，是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是 放大 和 作用。 2、晶体三极管三个工作区域是 发射区 、 基区 和 集电区 。 3、双极型三极管从结构上看可以分成 NPN型 和 PNP型两种类型，它们工作时有 自由电子 和 空穴 两种载流子参与导电。 4、场效应管属于 控制型器件，而晶体三极管则认为是 控制型器件。 5、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于 正向 偏置，集电结处于 反向偏置 三极管